Hardware & Performance
MRAM与内存计算：片上AI的下一个飞跃？
MRAM是具有零待机功耗和字节级寻址的非易失性磁性存储。内存计算将神经网络操作移入存储阵列本身，消除能耗密集的数据传输。Samsung在2022年Nature论文中展示了概念验证；SemiFive/ICYTech在2026年5月实现8nm流片，支持最高2B参数边缘芯片。当前现实：仅限R&D和早期硅。消费级部署现实上还需3-5年以上。
MRAM(磁阻性RAM)和内存计算架构可以通过在内存本身内执行计算来重塑片上AI，消除目前制约本地LLM推理的能源密集型数据往返瓶颈。Samsung的研究展示了概念验证；SemiFive和ICYTech在2026年5月实现了针对2B参数边缘AI芯片的硅流片。但是，MRAM仍处于研发阶段 — 尚未进入消费级设备。
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